铁磁半导体的居里温度新全球记录：新材料可实

在7月8日的新闻中，技术媒体Neawin发表了一篇博客Hoy（7月8日），告知日本科学家已经成功地开发了一种新的铁磁半导体（FMS），该磁磁性半导体（FMS）可以在高温下工作，并在530 K（约256.85°C）时达到Curie温度。在家中注意：居里的温度是指磁性材料自发磁化阻力降至零的温度，并且是将铁磁或铁磁物质转换为顺磁物质的重要点。它代表了磁性材料的理论工作温度极限。居里温度大小取决于材料的化学成分和晶体结构。例如，铁的居里温度约为770°C，钴居里的温度约为1131°C。Ly开发了一种新的铁磁半导体，该半导体可以在温度更高的情况下工作。在许多材料中，狭窄带dapados的带隙半导体带有铁III-V，例如（信仰）SB和（GA，Fe）SB，由于可能具有较高的居里温度，因此已成为调查的重点。但是，在不破坏晶体结构的情况下，引入大量磁元素（例如铁）一直是一个重要的挑战。在这项新研究中，东京的团队找到了解决这个问题的解决方案。他们使用称为传递流长的技术在GAAS底物（100）上使用了生长SB膜（GA，FE）（100）（100）。该方法允许在不破坏材料结构的情况下引入多达24％的铁。借助这种TECNOLOGY，该团队以470k至530k的温度制作了SB电影（Ga₀.₇₆fe₀.₂₄）。为了确认磁性，小组使用了M通过旋转检查光和极化光的电子状态的相互作用。他们还使用Arroott图表分析了磁化数据。这是用于确定材料变得磁性温度的技术。样品中每个信仰原子的磁矩约为4.5μb，对于锌矿物结构中的Fe³⁺离子的理想5μb。这大约是正常金属（α-FE）的磁矩的两倍。我们还尝试了长期耐用性。 1。储存5年后，该膜的温度为9.8 nm厚，居里。尽管略微下降至470K，但他表现出强大的磁性。